Förderprojekte

Förderbeginn 01.07.2005

Untersuchung von Störstellen und Defekten in AlN-Volumenkristallen

Prof. Dr. Albrecht Winnacker
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg
Materialien der Elektronik und der Energietechnologie

Prof. Dr. Eicke Weber
University of California, Berkeley
Department of Materials Science and Engineering

Aluminiumnitrid ist ein viel versprechendes Substratmaterial für die UV-Optoelektronik und für Hochfrequenzbauelemente. Kürzlich stellte die Gruppe der Universität Erlangen einen Prozess zur Herstellung neuartiger, spontan wachsender AlN-Volumenkristalle vor. Das Projekt hat zum Ziel, die Natur der sich bildenden Störstellen und Defekte sowie den dabei auftretenden Facetteneffekt zu verstehen. Beide Projektpartner arbeiten eng zusammen, um systematisch sowohl das Wachstum von AlN auf verschiedenen kristallographischen Facettenflächen als auch die Natur der beteiligten Störstellen und Defekte zu untersuchen. Die Charakterisierung der Proben wird hauptsächlich in Berkeley durchgeführt und beinhaltet Messungen zur zeitabhängigen Photolumineszenz, Photoreflektanz, optischen Absorption, Ramanstreuung, sowie Messungen mit XBIC/EBIC und Elektronen-Spinresonanz. Die Ergebnisse werden wertvolle Hinweise zur weiteren Optimierung der AlN-Kristallzüchtung geben, insbesondere im Hinblick auf die für die UV-Anwendung kritischen optischen Absorptionseigenschaften.