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Förderbeginn 01.01.2004
Dotierung in ZnO
Dr. Stefan Malzer
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg
Lehrstuhl für Angewandte Physik (Halbleiterphysik)
Prof. Dr. Gottfried Döhler
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg
Lehrstuhl für Angewandte Physik (Halbleiterphysik)
Dr. Peter Kiesel
Palo Alto Research Center (PARC)
Research Areas
Für schnelle Hochleistungselektronik unter extremen Bedingungen sowie optoelektronische Anwendungen im UV-Bereich (Laser, Sensorik) gewinnt ZnO zunehmend Interesse. Im Vergleich zu etablierten, GaN-basierten Materialien mit großer Bandlücke hat ZnO bedeutende Vorteile: Es besitzt eine höhere exzitonische Bindungsenergie, eine größere Sättigungsgeschwindigkeit für Elektronen, eine höhere piezo-elektrische Konstante und - was für die Anwendung eine große Rolle spielt - es sind Substrate verfügbar. Bis zum heutigen Tag ist jedoch die fehlende p-Dotierung das große Hindernis auf dem Weg zur Anwendung. Nominell undotierte ZnO-Schichten zeigen ein n-(Hintergrund) Dotierung, die mit Wasserstoff im Kristall in Verbindung gebracht wird. Ziel der Zusammenarbeit ist es, die Ursache der n-Hintergrunddotierung aufzuspüren sowie potentielle Kandidaten für die p-Dotierung zu finden. Die Proben, SIMS-Messungen und temperaturabhängige Hallmessungen werden von PARC geliefert. In Erlangen werden zu diesem Zweck (Tieftemperatur-) Photolumineszenz- und Transmissionsmessungen durchgeführt.