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Förderbeginn 01.01.2008
Neuartige magnetische Halbleiter für effiziente Spininjektion in Silizium
Dr. Dominique Bougeard
Technische Universität München
Walter Schottky Institut
Prof. Dr. A. C. Gossard
University of California, Santa Barbara
Materials Department
Die Verwendung des Spins in spintronischen Halbleiterbauelementen eröffnet den Zugang zu einem im Vergleich zur klassischen - Ladungsträger-basierten - Elektronik zusätzlichen Freiheitsgrad. In unserem Projekt werden magnetische Halbleiter mit dem Ziel untersucht, die Anzahl und Phase der Spins einer Teilchenpopulation zu kontrollieren. Das Einbringen von magnetischen Elementen in anwendungsbezogenen Halbleitermaterialen ist hierbei eine wichtige Problemstellung. Im Rahmen der Kooperationen sollen Beiträge zur Realisierung von neuartigen Gruppe IV-basierten magnetischen Halbleitern, zum physikalischen Verständnis der Curie-Temperatur in (Ga, Mn)As und Entwicklung von Strategien zur effizienten Spininjektion in Silizium erarbeitet werden.