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Förderbeginn 01.07.2001
Umfangreiche Berechnungen der Eigenschaften elektronischer Materialien
Prof. Dr. Oleg Pankratov
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg
Lehrstuhl für Theoretische Festkörperphysik
Dr. John E. Klepeis
Lawrence Livermore National Laboratory (LLNL)
Physical and Life Sciences Directorate
Die atomare Struktur und das Energie-Spektrum komplexer elektronischer Materialien (Silizide, SiC-Polytypen und Quantenpunkte in Silizium) wird mit ab-initio Computersimulationen großen Umfangs untersucht. Dabei ergänzen sich Programme mit dem Full-Potential und dem Pseudopotential-Ansatz. Es wird ein qualitatives Valenzkraftmodell zur Interpretation der Ergebnisse und zur Charakterisierung der chemischen Bindungen in Siliziden (PtSi und IrSi) entwickelt. Diese Modelle sollen eine Verbindung zwischen den mechanischen Eigenschaften (elastische Konstanten) und der elektronischen Struktur und Bindung bei Siliziden herstellen. Des weiteren wird die Dotierung von SiC mit unterschiedlichen Dotieratomen mit ab-initio Simulationen untersucht. Mit diesen Berechnungen soll die Bildungsenergie für diverse Defekte und Dotieratom-Defekt-Komplexe bestimmt werden, die für die Kompensation und die Diffusion von Dotieratomen verantwortlich sind.